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來源：中國科學報 更新時間：2022-11-25 08:20:30 [我要投稿] |
| 中科院金屬研究所沈陽材料科學國家研究中心與國內多家單位合作，通過設計二維半導體與二維鐵電材料的特殊能帶對齊方式，將金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）與非隧穿型的鐵電憶阻器垂直組裝，首次構筑了基于垂直架構的門電壓可編程的二維鐵電存儲器。相關研究 ...[查看原文] |
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